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Maxim推出用于无线基站的高线性度双通道SiGe下变频混频器


作者:电子工程专辑 来源:RFID世界网 2009-03-05 08:47:45

摘要:器件提供紧凑的6mm x 6mm、36引脚TQFN封装,引脚排列与现有的MAX9985、MAX19985A和MAX9995系列700MHz至2200MHz双通道混频器类似。该系列双通道下变频器理想用于多个频段采用同一PCB布局的应用。

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   Maxim推出用于DCS/PCS、cdma2000、WCDMA、WCS、LTE、WiMAX和MMDS无线基础设施的高性能、双通道、下变频混频器系列产品MAX19995/MAX19995A/MAX19997A/MAX19999。这些混频器加上之前发布的MAX19985A,构成了完备的700MHz至4000MHz频段基站下变频器解决方案。 

  器件采用Maxim专有的SiGe工艺设计,集优异的线性度、噪声性能和高度的器件集成特性于一体。如性能和应用表所示,器件具有高达24.8dBm的 IIP线性度、9dB的转换增益以及优异的79dBc 2RF-2LO杂散抑制,且噪声系数极低,仅为9dB。上述参数指标对增强接收器灵敏度和抗阻塞性能至关重要。 

  作为完备的SiGe下变频器,MAX19995/MAX19995A /MAX19997A/MAX19999集成了2个业内先进的混频器内核、4个放大器、3个非平衡变压器、一个LO分路器,以及多个分立元件。器件的转换增益省去了接收通道中的整个IF放大级。优异的2RF-2LO和2LO-2RF性能简化了相邻谐波分量的滤波要求,进而简化了滤波器设计,降低了成本。器件集上述功能与优异的性能于一体,使下变频器方案尺寸仅为同类分立方案的一半,总器件数量减小了45%。 

  整个MAX19985A/MAX19995/MAX19997A/MAX19999系列产品均支持2种独特的“绿色”功率模式,该模式下允许牺牲部分线性度性能,以降低功耗。5V模式下,驱动片内LO缓冲器和IF放大级的偏置电流可降低33%。采用该模式工作时,IIP3线性度仅减小3dB,但却节省了 20%的功耗。同样,采用3.3V模式工作时,线性度仅降低4dB至5dB,但功耗却降低了53%。两种模式均允许设计者根据不同的性能要求对下变频器的功耗进行优化。 

  器件提供紧凑的6mm x 6mm、36引脚TQFN封装,引脚排列与现有的MAX9985、MAX19985A和MAX9995系列700MHz至2200MHz双通道混频器类似。该系列双通道下变频器理想用于多个频段采用同一PCB布局的应用。

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