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夏普公布可削减制造成本50%的晶圆制造方法

作者:河合 基伸
来源:日经BP社报道
日期:2008-09-09 09:15:11
摘要:夏普公布可削减制造成本50%的晶圆制造方法

  夏普发表了可将制造成本减半的晶圆制造方法(2BO.3.1:New Wafer Technology for Crystalline Sillicon Solar Cell)。该公司已建立了使用传送带等的自动化生产线,是“量产水平的技术”(发表者)。

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左侧是学会会场。右侧建筑是展示会场

  制造方法如下。首先,令底板与熔化的硅接触,使硅附着在底板表面。之后,将附着的硅剥离,并以激光切削剥离的片状硅的周围部分,使成合适的尺寸。而激光切削下来的硅可熔化再利用。发布时用视频演示了制造过程,但没有公开剥离附着硅的方法。 

  该方法的开发历时10年,产品的外形尺寸达156mm×156mm,产量高达1825cm2/分。每8秒钟就可以制造一片晶圆。晶圆厚300μm。制造成本仅为现有铸造法制造的约200μm厚晶圆的50%。转换效率在2006年就已达到14.8%。现在的转换效率值没有公开,但表示,由42片晶圆组成的模块的最大输出功率达到了144W。(记者:河合 基伸)