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三星量产混载FeRAM多功能 IC卡逻辑芯片


作者:日本财经报道 来源:日本财经报道 2005-05-16 10:18:28

摘要:三星量产混载FeRAM多功能 IC卡逻辑芯片

关键词:智能卡[0篇]  

 韩国三星电子准备量产混载铁电存储器(FeRAM)的多功能IC卡(智能卡)逻辑芯片。三星相关负责人说,“量产课题已得到解决”,但量产时间未予公布。并在2004年6月15日于美国檀香山开幕的半导体制造技术国际会议“2004 Symposium on VLSI Technology”上公布了试产芯片的详情。铁电材料采用了配向为(111)的PZT。铁电材料是利用MOCVC技术制成的。
  此次发表的试产芯片除控制用逻辑电路外,在保存数据方面,配备了128KB FeRAM和8KB FeRAM闪存,在保存代码方面,配备了384KB掩膜ROM。试产芯片的主要规格如下:设计工艺为180nm。工作电压为+1.62V~+5.5V。读写周期为100ns。工作时的耗电量为4mA。芯片面积为15.4mm2,FeRAM存储单元面积为2.4μm2。采用4层金属布线,可擦写次数在10的12次方以上。
  据三星称,通过使用FeRAM代替EEPROM,将会带来很多优点。比如,处理性能更高了,可擦写次数增加了,生产工艺简单了,芯片面积缩小了。内置EEPROM的多功能IC卡逻辑芯片的读写周期较长,为4ms,而且可擦写次数也少,在10的5次方以下。作为混载FeRAM的多功能IC卡逻辑芯片,富士通已经开始量产。仅从国际学术会议上的技术发表来看,就会发现作为FeRAM的应用领域,三星过去一直比较重视面向手机等领域的独立应用。在多功能IC卡等逻辑芯片中混载FeRAM,此次还是第一次技术发表。

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