当前位置RFID世界网 > 新闻中心 > 行业动态 > 正文

Atmel低能超高频射频识别芯片研发成功


作者:RFID Journal 来源:RFID Journal 2005-05-16 10:18:28

摘要:Atmel低能超高频射频识别芯片研发成功

关键词:电子标签[12篇]  

  爱特梅尔(ATMEL)日前宣布该公司最新推出的超高频射频识别芯片为UHF的应用提供了又一途径。
  由欧盟委员会发起的“被动远距离多元RFID接入”标准要求UHFRFID系统使标签可以在12英尺之内被读取且读卡机的RF输出量被限制在500毫瓦之内。虽然欧盟已经同意改变规则,允许读卡机发射2瓦特的能量,但是ATMEL说这款低能量芯片的设计不管在北美还是欧洲都可以保持良好性能。
爱特梅尔公司的RFID市场经理Michael Fislage说,该芯片和其它UHF芯片相比具有更强的读写能力。在欧洲,标签可以在10米(30英尺)之内被读取。这可以和大多数北美提供的系统性能相媲美。在北美读卡机允许的最大能量输出是4瓦特。
  据了解,这款芯片的频率范围在800MHz到1GHz之间,这意味着它能在欧洲、北美和日本使用。芯片有320比特的记忆系统1024比特的用户内存,每秒钟可读取460个标签。
  爱特梅尔公司称该产品和其它超高频标签相比可为最终用户带来更多便捷。使用者可以选择两种调制方案:ASK或PSK。本质上说用户可以通过转换从读卡机反射回来的无线电波强度或波相来选择数据。

 已有0条评论 我要评论 联系编辑
分享到:网易新浪腾讯人人开心网豆瓣MSN


最新评论(加载最新评论):


上一篇:电子标签2008年面世“物联网”有望全球互联

下一篇:普及IC标签日本政府牵头 小松11月开始实验


相关新闻:


关键字搜索:


技术文章:电子标签[0篇]  

成功应用:电子标签[0篇]  

解决方案:电子标签[0篇]  


图片新闻:

    热点专题

    人物访谈

    最新发布产品

      推荐新闻