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Micromem演示用于RFID的MRAM阵列样片


作者:电子工程专辑 来源:电子工程专辑 2005-05-16 10:18:28

摘要:Micromem演示用于RFID的MRAM阵列样片

关键词:电子标签[12篇]  

  10月12日记者获悉,经过5年的研发后,MicromemTechnologies公司(MMT)日前宣布,该公司用于射频识别芯片RFID的MRAM(磁阻随机存取存储器)芯片已经接近生产阶段。
  MMT公司顾问Cynthia Kuper声称,MMT已具备设计和制造MRAM存储器单元的能力,Micromem公司研发团队计划开发96位存储阵列,目标瞄准RFID市场的新应用。Kuper表示,MMT当前的技术在微米级规模,并将更进一步减少,以便单元密度更加紧凑。另外,他表示MMT已解决了某些与存储有关的关键瓶颈问题,包括干扰和材料疲劳。
  据悉,其他厂商也在争相投入MRAM技术的研发,由前摩托罗拉半导体部门独立出来的Freescale半导体公司,已推出标准的4MbMRAM产品。根据Freescale表示,该公司已经向部分客户发布了MRAM样片。

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